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单向可控硅的区分方法:先任意测量两个极

单向可控硅与双向可控硅的区分方法：

先任意测量两个极，如果正、反测指针均不动，可能是A、K或者G、A极（对单向可控硅）也可能是T1、T1或T2、G极（对双向可控硅），如果其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅，且红笔所接为K极，黑笔接的是G极，剩下的则为A极，如果正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅，再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

可控硅模块受损原因分析

可控硅模块受损原因

1、电压击穿。

可控硅模块不能承受电压而损坏，在其芯片中有一个光洁的小孔，有时需要用扩大镜才能看到，其原因可能是管子本身耐压下降或者是被电路断开时产生的高电压击穿。

2、电流损坏。

如果芯片被烧成一个凹坑，并且非常粗糙，其位置在原理控制极上，这种往往就属于电流损坏。

3、电流上升率损坏。

如果上述芯片凹坑位置在控制极附近或者是就在控制极上，那么可能就是电流上升率损坏所致。

4、边缘损坏。

这种受损发生在芯片芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。

可控硅模块的防护措施

可控硅模块的防护措施：

一、过电流保护措施。

可控硅模块过电流的主要原因是过载、短路和误触发，常见的过电流保护有以下三种：

1、过电流继电器。

在电流超过过电流继电器的整定值时，过电流继电器就会动作，切断保护电路，但是由于继电器动作到切断电路需要一定时间，所以，只能用作可控硅的过载保护。

2、过载截止保护。

利用过电流的信号将可控硅的触发信号后移，或者使得可控硅模块的导通角减小，或者干脆停止触发保护可控硅。

3、快速熔断器。

快速熔断器中的熔丝是银质的，只要选择得当，在同样的过电流倍数下，就可以在可控硅损坏前先熔断，从而保护了晶闸管。

可控硅模块所具备的特性

1.可控硅模块可以放大功率数十万倍，以小功率控制大功率，方便我们平时的操作使用；

2.具有较快的反应速度，能在瞬间内开通、关闭，使用起来非常快捷、，并且费用很低。

3.在使用的过程中不会有噪音的出现，也无火花，并且不影响我们的日常生活。

可控硅模块就是我们通常所说的晶闸管，它在应用中有哪些方面是值得我们注意的呢？

触发驱动的问题，在本系统中，由于感性负载的存在，阳极电流上升率低，若不施加宽脉冲触发，则晶闸管往往不能维持导通状态。

晶闸管是一种开关器件，在应用的过程中受结温、通态电流等的影响，其中以结温及反向电压影响大，结温愈高，关断时间愈长；反压越高，关断时间愈短。